发明名称 |
混合DRAM存储器及降低该DRAM存储器刷新时功耗的方法 |
摘要 |
本发明公开的一种混合DRAM存储器及降低该DRAM存储器刷新时功耗的方法,通过将非易失性存储器与DRAM主存储器相结合,并利用非易失性存储器中指定的存储单元替代DRAM主存储器中的尾端存储单元,从而大大提高了刷新周期,降低刷新频率,极大地降低了DRAM主存储器的刷新功耗。 |
申请公布号 |
CN103810126A |
申请公布日期 |
2014.05.21 |
申请号 |
CN201410040107.9 |
申请日期 |
2014.01.27 |
申请人 |
上海新储集成电路有限公司 |
发明人 |
景蔚亮;陈邦明 |
分类号 |
G06F13/28(2006.01)I |
主分类号 |
G06F13/28(2006.01)I |
代理机构 |
上海申新律师事务所 31272 |
代理人 |
吴俊 |
主权项 |
一种混合DRAM存储器,其特征在于,包括DRAM主存储器、非易失性存储器和逻辑检测模块;所述DRAM主存储器与所述逻辑检测模块双向通信连接,所述DRAM主存储器和所述非易失性存储器双向通信连接,所述逻辑检测模块与所述非易失性存储器双向通信连接;其中,所述逻辑检测模块检测所述DRAM主存储器的工作状态,并根据其获取的工作状态数据于所述DRAM主存储器中设置尾端存储单元和主存储单元,同时根据该工作状态数据设定所述DRAM主存储器的刷新周期,且所述逻辑检测模块根据设定的刷新周期控制所述DRAM主存储器与所述非易失性存储器之间的数据传递。 |
地址 |
201500 上海市金山区亭卫公路6505号2幢8号 |