发明名称 混合DRAM存储器及降低该DRAM存储器刷新时功耗的方法
摘要 本发明公开的一种混合DRAM存储器及降低该DRAM存储器刷新时功耗的方法,通过将非易失性存储器与DRAM主存储器相结合,并利用非易失性存储器中指定的存储单元替代DRAM主存储器中的尾端存储单元,从而大大提高了刷新周期,降低刷新频率,极大地降低了DRAM主存储器的刷新功耗。
申请公布号 CN103810126A 申请公布日期 2014.05.21
申请号 CN201410040107.9 申请日期 2014.01.27
申请人 上海新储集成电路有限公司 发明人 景蔚亮;陈邦明
分类号 G06F13/28(2006.01)I 主分类号 G06F13/28(2006.01)I
代理机构 上海申新律师事务所 31272 代理人 吴俊
主权项 一种混合DRAM存储器,其特征在于,包括DRAM主存储器、非易失性存储器和逻辑检测模块;所述DRAM主存储器与所述逻辑检测模块双向通信连接,所述DRAM主存储器和所述非易失性存储器双向通信连接,所述逻辑检测模块与所述非易失性存储器双向通信连接;其中,所述逻辑检测模块检测所述DRAM主存储器的工作状态,并根据其获取的工作状态数据于所述DRAM主存储器中设置尾端存储单元和主存储单元,同时根据该工作状态数据设定所述DRAM主存储器的刷新周期,且所述逻辑检测模块根据设定的刷新周期控制所述DRAM主存储器与所述非易失性存储器之间的数据传递。
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