隔离结构及其形成方法

摘要

隔离结构及其形成方法。一种形成具有隔离结构的半导体结构的方法。提供了具有第一区域和第二区域的衬底。用中性掺杂物注入第一区域和第二区域以分别在第一区域和第二区域中形成第一蚀刻停止部件和第二蚀刻停止部件。第一蚀刻停止部件具有深度D₁，第二蚀刻停止部件具有深度D₂。D₁小于D₂。蚀刻第一区域和第二区域中的衬底以分别形成第一沟槽和第二沟槽。第一沟槽和第二沟槽分别连接在第一蚀刻停止部件和第二蚀刻停止部件上。

主权项

一种形成具有隔离结构的半导体结构的方法，所述方法包括：提供具有第一区域和第二区域的衬底；用中性掺杂物注入所述第一区域和所述第二区域以分别在所述第一区域和所述第二区域中形成第一蚀刻停止部件和第二蚀刻停止部件，所述第一蚀刻停止部件具有深度D₁，所述第二蚀刻停止部件具有深度D₂，其中，D₁小于D₂；在所述第一区域和所述第二区域中蚀刻衬底以分别形成第一沟槽和第二沟槽，其中，所述第一沟槽和所述第二沟槽分别连接在所述第一蚀刻停止部件和所述第二蚀刻停止部件上；以及用介电材料填充所述第一沟槽和所述第二沟槽以形成第一隔离结构和第二隔离结构，其中，所述第一隔离结构基本上具有所述深度D₁，所述第二隔离结构基本上具有所述深度D₂。