发明名称 一种微合金工艺
摘要 本发明涉及一种微合金工艺,其特征在于,所述工艺步骤如下:打开合金炉,将合金炉的气压调整到45-55psi,将合金炉的温度升至300℃,稳定10分钟;将芯片放至载片台上,将载片台载入合金炉内;微合金过程如下:预热1.5min→恒温8min→炉口冷却2.5min→炉外冷却3min;合金完后,退出合金炉,将芯片取出。发明的有益效果是:本工艺通过对微合金的工艺进行改进,增加了微合金的稳定性,减少掉电极的现象,从而提高了产品的良率。
申请公布号 CN103811594A 申请公布日期 2014.05.21
申请号 CN201210456755.3 申请日期 2012.11.15
申请人 毛华军 发明人 毛华军
分类号 H01L33/00(2010.01)I;C23C10/00(2006.01)I 主分类号 H01L33/00(2010.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种微合金工艺,其特征在于,所述工艺步骤如下:打开合金炉,将合金炉的气压调整到45‑55psi,将合金炉的温度升至300℃,稳定10分钟;将芯片放至载片台上,将载片台载入合金炉内;微合金过程如下:预热1.5min→恒温8min→炉口冷却2.5min→炉外冷却3min;合金完后,退出合金炉,将芯片取出。
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