MTP器件的单元结构

摘要

本发明公开了一种MTP器件的单元结构，使用p型衬底(41)和p阱(42)横向隔离n阱(24)和n阱(34)，并且只让p型衬底(41)与n阱(34)横向接触。这可以提供更大的击穿电压，有利于提高擦除电压。同时本发明又在n阱(24)和n阱(34)之间增加了p阱(42)，并且p阱(42)不与n阱(34)直接接触，这样寄生MOS管(40)的沟道区中p型杂质的掺杂浓度提高，而提高了寄生MOS管(40)的开启电压，这也有利于提高擦除电压。从以上两方面因素共同提高了MTP器件的单元结构所能施加的擦除电压的最高值，从而可以获得更快的擦除速度和更好的擦除效果。

主权项

一种MTP器件的单元结构，包括选择晶体管(10)、编程晶体管(20)和擦除晶体管(30)；选择晶体管(10)位于第一n阱(14)中，编程晶体管(20)位于第二n阱(24)中，第一n阱(14)与第二n阱(24)为同一个或不同n阱；擦除晶体管(30)位于第三n阱(34)中，第三n阱(34)与第一n阱(14)、第二n阱(24)相比是独立的n阱；选择晶体管(10)的栅极(12)作为选择端(SG)；选择晶体管(10)的漏极(13)与编程晶体管(20)的源极(21)相连接；编程晶体管(20)的栅极与擦除晶体管(30)的栅极为同一个浮栅(22)；编程晶体管(20)的漏极(23)作为漏端(BL)；其特征是，选择晶体管(10)的源极(11)与第一n阱(14)、第二n阱(24)三者相连接，并作为编程端(WL)；擦除晶体管(30)的源极(31)、漏极(33)和第三n阱(34)三者相连接，并作为擦除端(EG)；所述第二n阱(24)与第三n阱(34)之间有场区(43)隔离，所述第二n阱(24)与第三n阱(34)之间还横向分布有p阱(42)和p型衬底(41)，所述p阱(42)的掺杂浓度大于p型衬底(41)；所述场区(43)下表面直接接触有p型衬底(41)和p阱(42)，并且第三n阱(34)的侧壁仅与p型衬底(41)接触。