| 发明名称 |
发光二极管磊晶结构 |
| 摘要 |
本发明涉及一种发光二极管磊晶结构，其包括N型半导体层、设置在该N型半导体层上的活性层、以及设置在该活性层上的P型半导体层。该活性层的横截面为平行四边形，且该平行四边形的内角均不为直角。 |
| 申请公布号 |
CN103811613A |
申请公布日期 |
2014.05.21 |
| 申请号 |
CN201210459151.4 |
申请日期 |
2012.11.15 |
| 申请人 |
展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
发明人 |
连亚琦;洪梓健 |
| 分类号 |
H01L33/20(2010.01)I;H01L33/02(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/20(2010.01)I |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
一种发光二极管磊晶结构，其包括N型半导体层、设置在该N型半导体层上的活性层、以及设置在该活性层上的P型半导体层，其特征在于：该活性层的横截面为平行四边形，且该平行四边形的内角均不为直角。 |
| 地址 |
518109 广东省深圳市宝安区龙华街道办油松第十工业区东环二路二号 |
