| 发明名称 | 保护环结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种保护环结构及其制造方法。该保护环结构包括：半导体基板，具有为第一环状物与第二环状物所环绕的电路区，该第一环状物与该第二环状物分别包括：分隔的多个第一掺杂区，形成于该半导体基板的上部；以及互连组件，形成于该半导体基板上，覆盖该多个第一掺杂区。本发明所提出的保护环结构及其制造方法，可降低或消除基板噪声耦合问题。 | ||
| 申请公布号 | CN103811471A | 申请公布日期 | 2014.05.21 |
| 申请号 | CN201310404416.5 | 申请日期 | 2013.09.06 |
| 申请人 | 联发科技（新加坡）私人有限公司 | 发明人 | 吕季垣;林建志;洪建州;黄裕华 |
| 分类号 | H01L23/552(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/552(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京万慧达知识产权代理有限公司 11111 | 代理人 | 张金芝;杨颖 |
| 主权项 | 一种保护环结构，其特征在于，包括：半导体基板，具有为第一环状物与第二环状物所环绕的电路区，该第一环状物与该第二环状物分别包括：分隔的多个第一掺杂区，形成于该半导体基板的上部；以及互连组件，形成于该半导体基板上，覆盖该多个第一掺杂区。 | ||
| 地址 | 新加坡启汇城大道一号索拉斯大厦三楼之一 | ||