| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本申请公开了一种半导体器件及其制造方法。一示例方法可以包括：在衬底上依次形成第一半导体层和第二半导体层；对第二半导体层、第一半导体层进行构图，以形成鳍；在衬底上形成隔离层，所述隔离层露出所述第一半导体层的一部分；向鳍下方的衬底进行离子注入，以形成穿通阻挡部；在隔离层上形成横跨鳍的栅堆叠；以栅堆叠为掩模，选择性刻蚀第二半导体层，以露出第一半导体层；选择性刻蚀第一半导体层，以在第二半导体层下方形成空隙；在衬底上形成第三半导体层，用以形成源/漏区。 | ||
| 申请公布号 | CN103811346A | 申请公布日期 | 2014.05.21 |
| 申请号 | CN201210448686.1 | 申请日期 | 2012.11.09 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 朱慧珑;许淼;梁擎擎;尹海洲 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 倪斌 |
| 主权项 | 一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底上依次形成第一半导体层和第二半导体层；对第二半导体层、第一半导体层进行构图，以形成鳍；在衬底上形成隔离层，所述隔离层露出所述第一半导体层的一部分；向鳍下方的衬底进行离子注入，以形成穿通阻挡部；在隔离层上形成横跨鳍的栅堆叠；以栅堆叠为掩模，选择性刻蚀第二半导体层，以露出第一半导体层；选择性刻蚀第一半导体层，以在第二半导体层下方形成空隙；在衬底上形成第三半导体层，用以形成源/漏区。 | ||
| 地址 | 100083 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||