硅器件结构及其形成时所使用的溅射靶材料

摘要

本发明提供一种硅器件结构及其形成时所使用的溅射靶材料，旨在提高硅器件的饱和迁移率特性。一种在硅半导体膜上具有P掺杂n⁺型非晶硅膜和在该P掺杂n⁺型非晶硅膜上形成的配线的硅器件结构，所述配线由在所述P掺杂n⁺型非晶硅膜的表面形成的氧化硅膜和铜合金膜组成，所述铜合金膜是通过溅射含有1原子％以上5原子％以下的Mn以及0.05原子％以上1.0原子％以下的P的铜合金而形成的膜。

主权项

一种硅器件结构，其为在硅半导体膜上具有P掺杂n⁺型非晶硅膜和在该P掺杂n⁺型非晶硅膜上形成的配线的硅器件结构，所述配线由在所述P掺杂n⁺型非晶硅膜的表面形成的氧化硅膜和Cu‑Mn‑P合金膜组成，所述Cu‑Mn‑P合金膜是含有0.9原子%以上5原子%以下的Mn以及0.025原子%以上0.3原子%以下的P的铜合金膜。