| 发明名称 | 半导体器件的测试方法和半导体测试装置 | ||
| 摘要 | 公开了半导体器件的测试方法和半导体测试装置。该测试方法包括：提供半导体器件，该半导体器件具有包括有源区和隔离区的衬底、包括在有源区上的栅极绝缘层和栅极、在有源区中的结区、和连接到结区的电容器的易失性器件存储单元、以及在隔离区上的穿过栅极；向栅极提供第一测试电压并且向穿过栅极提供大于第一测试电压的第二测试电压以恶化栅极绝缘层的界面缺陷；以及测量易失性器件存储单元的保持特性。 | ||
| 申请公布号 | CN103811079A | 申请公布日期 | 2014.05.21 |
| 申请号 | CN201310560306.8 | 申请日期 | 2013.11.12 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 金致浩;夏志良;李成熙;金那罗;金大新 |
| 分类号 | G11C29/50(2006.01)I | 主分类号 | G11C29/50(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 李琳 |
| 主权项 | 一种半导体器件的测试方法，该测试方法包括：提供半导体器件，该半导体器件具有：包括有源区和隔离区的衬底、包括在有源区上的栅极绝缘层和第一栅极、有源区中的结区、和连接到结区的电容器的易失性器件存储单元、以及在隔离区上的穿过栅极；向第一栅极提供第一测试电压并且向穿过栅极提供大于第一测试电压的第二测试电压；以及测量易失性器件存储单元的保持特性。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||