发明名称 |
无掺杂GeSn量子阱的金属氧化物半导体场效应晶体管 |
摘要 |
本发明提供一种带有无掺杂GeSn量子阱的pMOSFET。该MOSFET(10)的特征在于:在基底(108)上生长半导体材料(103),半导体材料(103)上面为GeSn沟道(101),在沟道和栅(106)之间是绝缘介电质薄膜(102),绝缘间隙壁(107)隔开栅与源/漏极区域(104,105)。半导体材料(103)具有比GeSn材料更大的禁带宽度,形成价带带阶,厚度很薄的沟道形成了量子阱,将导电载流子限制在其中,沟道中无掺杂杂质,可提高载流子迁移率。 |
申请公布号 |
CN103811557A |
申请公布日期 |
2014.05.21 |
申请号 |
CN201410080145.7 |
申请日期 |
2014.03.06 |
申请人 |
重庆大学 |
发明人 |
刘艳;韩根全;刘明山 |
分类号 |
H01L29/78(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L29/15(2006.01)I;H01L29/24(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/78(2006.01)I |
代理机构 |
重庆华科专利事务所 50123 |
代理人 |
康海燕 |
主权项 |
一种无掺杂GeSn量子阱的 p 型金属氧化物半导体场效应晶体管,其特征在于,包括:一基底,其上生长有半导体材料;一 沟道,为单晶GeSn材料,其通式为Ge<i><sub>1‑x</sub></i>Sn<i><sub>x</sub></i>(0<x<0.20),未经掺杂,位于所述半导体材料上;一绝缘介电质薄膜,位于所述沟道上;一栅电极,覆盖在所述绝缘介电质薄膜上;一源极与一漏极,分别位于所述栅电极的两侧;第一绝缘间隙壁,位于所述栅极和源极之间,隔开栅极和源极;第二绝缘间隙壁,位于所述栅极和漏极之间,隔开栅极和漏极;所述半导体材料的禁带宽度比沟道GeSn大,所述沟道GeSn的厚度为3‑15nm,形成价带带阶,将空穴限制在量子阱。 |
地址 |
400030 重庆市沙坪坝区沙正街174号 |