| 发明名称 | 测试对准使用芯片的制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种测试对准使用芯片的制作方法，其特征在于，包括：步骤1、在工艺初期图形定义时，硅片内的所有区域都进行曝光；步骤2、当该硅片因为芯片尺寸过小时，需要进行对准芯片制作时，针对此类硅片，在硅片内部完整shot的位置上，选择一个小的区域M进行二次曝光，使区域M内的全部或部分芯片失效，形成一个失效的芯片阵列，作为测试对准使用；步骤3、根据区域M中的失效芯片周边芯片中是否含有有效芯片，来判定测试结果是否与硅片上实际芯片结果发生左、右、上、下的偏移。本发明的测试对准使用芯片的制作方法，相对于常规使用的不曝光方式制作失效芯片的方法影响面积少，判定准确率高，并且失效芯片数目变化灵活性高等优点。 | ||
| 申请公布号 | CN103811298A | 申请公布日期 | 2014.05.21 |
| 申请号 | CN201210460903.9 | 申请日期 | 2012.11.15 |
| 申请人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 洪雪辉 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/66(2006.01)I;G03F9/00(2006.01)I;G03F7/20(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 丁纪铁 |
| 主权项 | 一种测试对准使用芯片的制作方法，其特征在于，包括：步骤1、在工艺初期图形定义时，硅片内的所有区域部进行曝光；步骤2、当该硅片因为芯片尺寸过小时，需要进行对准芯片制作时，针对此类硅片，在硅片内部完整shot的位置上，选择一个小的区域M进行二次曝光，使区域M内的全部或部分芯片失效，形成一个失效的芯片阵列，作为测试对准使用；步骤3、根据区域M中的失效芯片周边芯片中是否含有有效芯片，来判定测试结果是否与硅片上实际芯片结果发生左、右、上、下的偏移。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||