发明名称 |
一种高电源抑制比基准电压源 |
摘要 |
一种高电源抑制比基准电压源,其中,包括带隙核心电路,为所述带隙核心电路供电高电源抑制比的非精确参考电压源和偏置电路,以及电压按比例放大器;所述电压按比例放大器利用所述高电源抑制比的非精确参考电压源生成一较稳定具有驱动能力的电压源,为所述带隙核心电路供电;所述带隙核心电路采用放大器和共源共栅结构给三极管提供电流。整个电路系统包含了一个较高电源抑制比的稳压源50dB,和一个具有共源共栅结构的带隙核心电路。两者结合在一起可以为基准电压提供120dB以上的电源抑制比,在各种corners和温度下提高了电路的稳定性。 |
申请公布号 |
CN103809647A |
申请公布日期 |
2014.05.21 |
申请号 |
CN201410091879.5 |
申请日期 |
2014.03.13 |
申请人 |
苏州芯动科技有限公司 |
发明人 |
敖海;敖钢 |
分类号 |
G05F1/56(2006.01)I |
主分类号 |
G05F1/56(2006.01)I |
代理机构 |
南京钟山专利代理有限公司 32252 |
代理人 |
戴朝荣 |
主权项 |
一种高电源抑制比基准电压源,其特征在于,包括带隙核心电路,为所述带隙核心电路供电高电源抑制比的非精确参考电压源和偏置电路,以及电压按比例放大器;所述电压按比例放大器利用所述高电源抑制比的非精确参考电压源生成一较稳定具有驱动能力的电压源,为所述带隙核心电路供电;所述带隙核心电路采用放大器和共源共栅结构给三极管提供电流。 |
地址 |
215021 江苏省苏州市工业园区独墅湖高教区仁爱路99号西交大科技园D栋608 |