发明名称 一种中低介电常数低温共烧陶瓷材料及其制备方法
摘要 本发明公开了一种中低介电常数低温共烧陶瓷材料及其制备方法。共烧陶瓷材料包括陶瓷主相和助熔辅料;按重量百分比计算,所述陶瓷主相包括:15%~30%的MgO,45%~60%的TiO<sub>2</sub>,2%~10%的CaCO<sub>3</sub>,1%~5%的ZrO<sub>2</sub>,1%~3%的Gd<sub>2</sub>O<sub>3</sub>,1%~3%的La<sub>2</sub>O<sub>3</sub>,1%~3%的Sm<sub>2</sub>O<sub>3</sub>;所述助熔辅料包括:2%~5%的SiO<sub>2</sub>,1%~3%的B<sub>2</sub>O<sub>3</sub>,3%~5%的锌硼硅酸盐玻璃粉(ZnO-B<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-SiO<sub>2</sub>);所述陶瓷材料中各个组分的重量百分比含量之和为100%。本发明得到的陶瓷材料烧结成基板,基板的强度较好,不易翘曲,且电性能保持良好,耐电镀腐蚀性能也较好。
申请公布号 CN103803968A 申请公布日期 2014.05.21
申请号 CN201410010675.4 申请日期 2014.01.09
申请人 深圳顺络电子股份有限公司 发明人 庞新锋;伍隽;包承育;漆珂;刘宁;王卫兰;苏柯铭;高瑞
分类号 C04B35/465(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I 主分类号 C04B35/465(2006.01)I
代理机构 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 代理人 余敏
主权项 一种中低介电常数低温共烧陶瓷材料的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:(1)制备陶瓷主相混合物:按重量百分比计算,将15%~30%的MgO,45%~60%的TiO<sub>2</sub>,2%~10%的CaCO<sub>3</sub>,1%~5%的ZrO<sub>2</sub>,1%~3%的Gd<sub>2</sub>O<sub>3</sub>,1%~3%的La<sub>2</sub>O<sub>3</sub>,1%~3%的Sm<sub>2</sub>O<sub>3</sub>混合,制得陶瓷主相混合物;(2)制备陶瓷主相煅烧料:将步骤(1)中所述陶瓷主相混合物处理成粉体后,在温度为1100℃~1200℃下煅烧1~3小时,通过固相反应制得陶瓷主相煅烧料;(3)制备陶瓷材料混合物:按重量百分比计算,将2%~5%的SiO<sub>2</sub>,1%~3%的B<sub>2</sub>O<sub>3</sub>,3%~5%的锌硼硅酸盐玻璃粉(ZnO‑B<sub>2</sub>O<sub>3</sub>‑SiO<sub>2</sub>)混合制得的助熔辅料与步骤(2)制备的所述陶瓷主相煅烧料混合,制得陶瓷材料混合物;陶瓷材料中各个组分的重量百分比含量之和为100%;(4)制备陶瓷煅烧料:将步骤(3)中所述陶瓷材料混合物处理成粉体后,在温度600℃~750℃下煅烧,制得二次共烧的陶瓷煅烧料;(5)将所述陶瓷煅烧料研磨至平均颗粒度为0.5μm~1.0μm的粉料,即为所述中低介电常数低温共烧陶瓷材料。
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