发明名称 |
一种新型出光结构的GaN基发光二极管 |
摘要 |
本实用新型公开了一种新型出光结构的GaN基发光二极管,包括在生长面设有多个凹形结构的衬底,衬底生长面依次生长有第一半导体载流子注入层、发光结构和第二半导体载流子注入层,同时还公开了该GaN基发光二极管的制作方法,先通过湿刻或干刻法在衬底生长面上形成有序分布的直径为5-10um凹形结构阵列,再采用MOCVD方法在衬底上依次生长第一半导体载流子注入层、多量子阱结构和第二半导体载流子注入层。本实用新型制作出的发光二极管,性能可靠,发光效率高,且能显著改善器件尤其是大功率输入时的散热效率,明显降低结温。 |
申请公布号 |
CN203607445U |
申请公布日期 |
2014.05.21 |
申请号 |
CN201320659636.8 |
申请日期 |
2013.10.25 |
申请人 |
广东德力光电有限公司 |
发明人 |
郝锐;林振贤;林永祥;汪俊翰 |
分类号 |
H01L33/20(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/20(2010.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种新型出光结构的GaN基发光二极管,其特征在于:包括在生长面设有多个凹形结构的衬底,衬底生长面依次生长有第一半导体载流子注入层、发光结构和第二半导体载流子注入层。 |
地址 |
529000 广东省江门市江海区彩虹路1号 |