| 发明名称 | 超薄形圆片级封装制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种超薄形圆片级封装制造方法，包括：提供圆片，所述圆片的一面阵列分布有多个芯片；在所述芯片远离所述圆片的表面形成导电凸点；在圆片形成有导电凸点的一面贴一层保护膜；将圆片形成有导电凸点的一面向下，放置在载片台上，在圆片未形成所述芯片的一面选择性环状减薄，形成周边厚中间薄的环状结构；将选择性环状减薄后的圆片翻转，放置在载片台上；撕去形成于圆片上的保护膜；对去除保护膜的圆片进行测试，测试之后进行切割。本发明提供的超薄形圆片级封装制造方法，实现了同样功能的半导体器件圆片封装的单体芯片厚度越来越薄的目标，并且实现了圆片背部减薄后只有微小翘曲的目标。 | ||
| 申请公布号 | CN103811357A | 申请公布日期 | 2014.05.21 |
| 申请号 | CN201410033740.5 | 申请日期 | 2014.01.24 |
| 申请人 | 南通富士通微电子股份有限公司 | 发明人 | 施建根 |
| 分类号 | H01L21/50(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/50(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 | 代理人 | 孟阿妮 |
| 主权项 | 一种超薄形圆片级封装制造方法，其特征在于，包括：S201：提供圆片，所述圆片的一面阵列分布有多个芯片；S202：在所述芯片远离所述圆片的表面形成导电凸点；S203：在圆片形成有导电凸点的一面贴一层保护膜；S204：将圆片形成有导电凸点的一面向下，放置在载片台上，在圆片未形成所述芯片的一面选择性环状减薄，形成周边厚中间薄的环状结构；S205：将选择性环状减薄后的圆片翻转，放置在载片台上；S206：撕去形成于圆片上的保护膜；S207：对去除保护膜的圆片进行测试，测试之后进行切割。 | ||
| 地址 | 226006 江苏省南通市崇川区崇川路288号 | ||