发明名称 外延生长设备
摘要 本发明提供一种外延生长设备,其包括反应腔室和加热单元,其中,反应腔室的腔室侧壁采用石英制作;加热单元围绕在腔室侧壁的外侧,并透过腔室侧壁朝向反应腔室的内部辐射热量。本发明提供的反应腔室,其可以提高反应腔室的温度分布均匀性,从而可以提高工艺的均匀性。
申请公布号 CN103806094A 申请公布日期 2014.05.21
申请号 CN201210444086.8 申请日期 2012.11.08
申请人 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 发明人 董志清
分类号 C30B25/10(2006.01)I;C30B25/08(2006.01)I 主分类号 C30B25/10(2006.01)I
代理机构 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人 彭瑞欣;张天舒
主权项 一种外延生长设备,其包括反应腔室和加热单元,其特征在于,所述反应腔室的腔室侧壁采用石英制作,所述加热单元围绕在所述腔室侧壁的外侧,并透过所述腔室侧壁朝向所述反应腔室的内部辐射热量。
地址 100176 北京市北京经济技术开发区文昌大道8号