发明名称 | 外延生长设备 | ||
摘要 | 本发明提供一种外延生长设备,其包括反应腔室和加热单元,其中,反应腔室的腔室侧壁采用石英制作;加热单元围绕在腔室侧壁的外侧,并透过腔室侧壁朝向反应腔室的内部辐射热量。本发明提供的反应腔室,其可以提高反应腔室的温度分布均匀性,从而可以提高工艺的均匀性。 | ||
申请公布号 | CN103806094A | 申请公布日期 | 2014.05.21 |
申请号 | CN201210444086.8 | 申请日期 | 2012.11.08 |
申请人 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 发明人 | 董志清 |
分类号 | C30B25/10(2006.01)I;C30B25/08(2006.01)I | 主分类号 | C30B25/10(2006.01)I |
代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人 | 彭瑞欣;张天舒 |
主权项 | 一种外延生长设备,其包括反应腔室和加热单元,其特征在于,所述反应腔室的腔室侧壁采用石英制作,所述加热单元围绕在所述腔室侧壁的外侧,并透过所述腔室侧壁朝向所述反应腔室的内部辐射热量。 | ||
地址 | 100176 北京市北京经济技术开发区文昌大道8号 |