| 发明名称 | 一种基于一维光栅的表面入射石墨烯光电探测器 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种基于一维光栅的表面入射石墨烯光电探测器，包括：SOI衬底，由下至上依次包括硅、埋氧层和顶层硅；刻蚀该顶层硅形成的一维光栅，该一维光栅由多个二氧化硅条(6)和多个硅条(7)交替分布构成，用以调制与石墨烯层作用的光场的空间分布；形成于该一维光栅之上的石墨烯层(8)，作为有源层与其周围的光场作用产生电子空穴对；形成于该石墨烯层(8)之上的第一叉指电极(4)和第二叉指电极(5)，二者均与石墨烯接触从而在接触面形成内建电场，用以实现对光生载流子的有效收集而形成光电流。利用本发明，通过光栅结构调制入射光在石墨烯周围的光场，以实现红外探测的高响应度和高带宽。 | ||
| 申请公布号 | CN103811568A | 申请公布日期 | 2014.05.21 |
| 申请号 | CN201410060091.8 | 申请日期 | 2014.02.21 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 黄北举;程传同;张赞;张赞允;陈弘达 |
| 分类号 | H01L31/0232(2014.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/101(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/0232(2014.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 任岩 |
| 主权项 | 一种基于一维光栅的表面入射石墨烯光电探测器，包括：SOI衬底，由下至上依次包括硅、埋氧层和顶层硅；刻蚀该顶层硅形成的一维光栅，该一维光栅由多个二氧化硅条(6)和多个硅条(7)交替分布构成，用以调制与石墨烯层作用的光场的空间分布；形成于该一维光栅之上的石墨烯层(8)，作为有源层与其周围的光场作用产生电子空穴对；形成于该石墨烯层(8)之上的第一叉指电极(4)和第二叉指电极(5)，二者均与石墨烯接触从而在接触面形成内建电场，用以实现对光生载流子的有效收集而形成光电流。 | ||
| 地址 | 100083 北京市海淀区清华东路甲35号 | ||