带有高反射率金属反射层的红光发光二极管及制备方法

摘要

一种带有高反射率金属反射层的红光发光二极管及制备方法，设有砷化镓（GaAs）衬底，砷化镓（GaAs）衬底上由下至上依次设有砷化铝（AlAs）剥离层，n型限制层，构成发光二极管的核心发光区域的多量子阱有源区, p型限制层，p型窗口层以及临时p型盖帽层，其中，该临时p型盖帽层将被腐蚀掉，并在p型窗口层的上面蒸镀高反射率金属反射层，然后，再在高反射率金属反射层之上蒸镀p型电极，并形成一芯片整体；经切割后的芯片整体成为红光发光二极管（LED）所需的芯片结构。本发明在增加反射率的同时，避免了由分布布拉格反射器（DBR）带来的发光二极管工作电压升高的弊端，不仅可以将砷化镓（GaAs）衬底彻底剥离掉，而且，使经过重新处理后的砷化镓（GaAs）衬底可以再次得到利用。

主权项

一种带有高反射率金属反射层的红光发光二极管，设有砷化镓（GaAs）衬底，其特征在于：砷化镓（GaAs）衬底上由下至上依次设有砷化铝（AlAs）剥离层，n型限制层，构成发光二极管的核心发光区域的多量子阱有源区, p型限制层，p型窗口层以及临时p型盖帽层，其中，该临时p型盖帽层将被腐蚀掉，并在p型窗口层的上面蒸镀高反射率金属反射层，然后，再在高反射率金属反射层之上蒸镀p型电极，并形成一芯片整体；经切割后的芯片整体成为红光发光二极管（LED）所需的芯片结构。