| 发明名称 | 一种同轴纳米电缆的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种同轴纳米电缆的制备方法，包括：1）提供具有多个孔道的模板，在所述模板的一面沉积电极层覆盖所述多个孔道，用于电化学沉积；2）配制电解液，该电解液中含有能够电化学沉积出至少两种金属的成分；3）将所述模板放置在电化学沉积装置中的电解液中进行电化学沉积，并在沉积过程中对电解液进行处理，使模板的孔道中产生传质速度不同的电解液环境。 | ||
| 申请公布号 | CN103811131A | 申请公布日期 | 2014.05.21 |
| 申请号 | CN201210455309.0 | 申请日期 | 2012.11.13 |
| 申请人 | 中国科学院物理研究所 | 发明人 | 师大伟;韩秀峰 |
| 分类号 | H01B13/016(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 主分类号 | H01B13/016(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人 | 王勇 |
| 主权项 | 一种同轴纳米电缆的制备方法，包括：1）提供具有多个孔道的模板，在所述模板的一面沉积电极层覆盖所述多个孔道，用于电化学沉积；2）配制电解液，该电解液中含有能够电化学沉积出至少两种金属的成分；3）将所述模板放置在电化学沉积装置中的电解液中进行电化学沉积，并在沉积过程中对电解液进行处理，使模板的孔道中产生传质速度不同的电解液环境。 | ||
| 地址 | 100190 北京市海淀区中关村南三街8号 | ||