| 发明名称 | 一种降低相变存储器单元操作功耗的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种降低相变存储器单元操作功耗的方法，包括如下步骤：(1)在SiO<sub>2</sub>/Si基片上涂覆CeO<sub>2</sub>薄膜；(2)将步骤(1)中制备的涂覆有CeO<sub>2</sub>薄膜的SiO<sub>2</sub>/Si基片退火处理，制得具有缓冲层的SiO<sub>2</sub>/Si基片；(3)在步骤(2)中制备的具有缓冲层的SiO<sub>2</sub>/Si基片上，涂覆GST相变材料，并封装成相变存储器器件。本发明利用稀土金属氧化物CeO<sub>2</sub>薄膜材料作为缓冲层，能有效降低相变存储器单元操作电压，从而降低功耗。 | ||
| 申请公布号 | CN102117883B | 申请公布日期 | 2014.05.21 |
| 申请号 | CN201010022442.8 | 申请日期 | 2010.01.05 |
| 申请人 | 同济大学 | 发明人 | 翟继卫;尚飞 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人 | 许亦琳;余明伟 |
| 主权项 | 一种降低相变存储器单元操作功耗的方法，其特征在于，所述降低相变存储器单元操作功耗的方法步骤如下：(1)在SiO<sub>2</sub>/Si基片上涂覆CeO<sub>2</sub>薄膜，所述CeO<sub>2</sub>薄膜的厚度为10nm；(2)将步骤(1)中制备的涂覆CeO<sub>2</sub>薄膜的SiO<sub>2</sub>/Si基片退火处理，制得具有缓冲层的SiO<sub>2</sub>/Si基片；(3)在步骤(2)中制备的具有缓冲层的SiO<sub>2</sub>/Si基片上，涂覆GST相变材料，并封装成相变存储器器件。 | ||
| 地址 | 200092 上海市杨浦区四平路1239号 | ||