发明名称 |
EEPROM及其存储阵列 |
摘要 |
一种EEPROM及其存储阵列,所述存储阵列包括至少一个字节存储区域;所述字节存储区域包括按照行方向排列的M条字线、按照列方向排列的8条位线、按照列方向排列的8条源线以及M行、8列呈矩阵排列的存储单元,所述存储单元包括栅极、漏极以及源极,M为正整数;其中,位于同一行的存储单元的栅极连接至同一字线,位于同一列的存储单元的漏极连接至同一位线,位于同一列的存储单元的源极连接至同一源线。本发明技术方案提供的EEPROM及其存储阵列通过将位于同一列的存储单元的源极连接至同一源线、将源线按照列方向排列,缩小了所述EEPROM的体积。 |
申请公布号 |
CN103811060A |
申请公布日期 |
2014.05.21 |
申请号 |
CN201410078700.2 |
申请日期 |
2014.03.05 |
申请人 |
上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
发明人 |
顾靖;孔蔚然;张博;张雄;李冰寒 |
分类号 |
G11C16/06(2006.01)I |
主分类号 |
G11C16/06(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
吴靖靓;骆苏华 |
主权项 |
一种EEPROM存储阵列,其特征在于,包括至少一个字节存储区域;所述字节存储区域包括按照行方向排列的M条字线、按照列方向排列的8条位线、按照列方向排列的8条源线以及M行、8列呈矩阵排列的存储单元,所述存储单元包括栅极、漏极以及源极,M为正整数;其中,位于同一行的存储单元的栅极连接至同一字线,位于同一列的存储单元的漏极连接至同一位线,位于同一列的存储单元的源极连接至同一源线。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 |