发明名称 EEPROM及其存储阵列
摘要 一种EEPROM及其存储阵列,所述存储阵列包括至少一个字节存储区域;所述字节存储区域包括按照行方向排列的M条字线、按照列方向排列的8条位线、按照列方向排列的8条源线以及M行、8列呈矩阵排列的存储单元,所述存储单元包括栅极、漏极以及源极,M为正整数;其中,位于同一行的存储单元的栅极连接至同一字线,位于同一列的存储单元的漏极连接至同一位线,位于同一列的存储单元的源极连接至同一源线。本发明技术方案提供的EEPROM及其存储阵列通过将位于同一列的存储单元的源极连接至同一源线、将源线按照列方向排列,缩小了所述EEPROM的体积。
申请公布号 CN103811060A 申请公布日期 2014.05.21
申请号 CN201410078700.2 申请日期 2014.03.05
申请人 上海华虹宏力半导体制造有限公司 发明人 顾靖;孔蔚然;张博;张雄;李冰寒
分类号 G11C16/06(2006.01)I 主分类号 G11C16/06(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人 吴靖靓;骆苏华
主权项 一种EEPROM存储阵列,其特征在于,包括至少一个字节存储区域;所述字节存储区域包括按照行方向排列的M条字线、按照列方向排列的8条位线、按照列方向排列的8条源线以及M行、8列呈矩阵排列的存储单元,所述存储单元包括栅极、漏极以及源极,M为正整数;其中,位于同一行的存储单元的栅极连接至同一字线,位于同一列的存储单元的漏极连接至同一位线,位于同一列的存储单元的源极连接至同一源线。
地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号