| 发明名称 | 一种测量LED内量子效率的方法 | ||
| 摘要 | 本发明属于半导体照明LED检测技术领域，公开了一种测量LED内量子效率的方法，该方法包括：根据LED的几何结构，通过数值计算或者软件建模来获得LED出光效率η<sub>LEE</sub>；将LED芯片进行不会改变出光效率的简单封装，测量LED光功率P和光谱随电流的变化关系，求出LED外量子效率η<sub>EXE</sub>；以及根据公式η<sub>EXE</sub>＝η<sub>IQE</sub>η<sub>LEE</sub>计算出LED内量子效率η<sub>IQE</sub>。该方法简单可靠，不需要复杂的数学运算，能够计算不同电流下的内量子效率。 | ||
| 申请公布号 | CN103808497A | 申请公布日期 | 2014.05.21 |
| 申请号 | CN201410079018.5 | 申请日期 | 2014.03.05 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 安平博;赵丽霞;魏学成;路红喜;王军喜;李晋闽 |
| 分类号 | G01M11/02(2006.01)I | 主分类号 | G01M11/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 任岩 |
| 主权项 | 一种测量LED内量子效率的方法，其特征在于，该方法包括：根据LED的几何结构，通过数值计算或者软件建模来获得LED出光效率η<sub>LEE</sub>；将LED芯片进行不会改变出光效率的简单封装，测量LED光功率P和光谱随电流的变化关系，求出LED外量子效率η<sub>EXE</sub>；以及根据公式η<sub>EXE</sub>＝η<sub>IQE</sub>η<sub>LEE</sub>计算出LED内量子效率η<sub>IQE</sub>。 | ||
| 地址 | 100083 北京市海淀区清华东路甲35号 | ||