| 摘要 |
Тиристор с самозащитой от пробоя, выполенный на основе полупроводниковой структуры с чередующимися слоями ρ-, n-, ρ- и n-типа электропроводности, которая содержит основную и несколько вспомогательных тиристорных структур, сформированных между анодным и катодными металлическими слоями, и имеет эмиттерный анодный, коллекторный и эмиттерный катодный р-n-переходы, при этом коллекторный р-n-переход имеет в центре полупроводниковой структуры локальную область с уменьшенной глубиной залегания, которая окружена рядом центрально-симметричных кольцеобразных областей n-типа электропроводности вспомогательных тиристорных структур и охватывающей их областью n-типа электропроводности основной тиристорной структуры, кроме того, катодные металлические слои на поверхностях n-эмиттеров вспомогательных тиристорных структур переходят через их внешние границы на поверхность слоя базы р-типа электропроводности, отличающийся тем, что катодный металлический слой вспомогательной тиристорной структуры, которая расположена перед вспомогательной тиристорной структурой с требуемым значением неотпирающего постоянного тока управления, снабжен управляющим выводом. |
