| 摘要 |
Ein Verfahren zum Herstellen eines Siliziumkarbidsubstrates umfasst die Schritte des Vorbereitens eines Ingots (1) aus einem Einkristall-Siliziumkarbid und das Erzeugen eines Substrates durch Schneiden des Ingots (1). Anschließend schreitet bei dem Schritt des Erzeugens eines Substrates der Schneidvorgang in einer Richtung α fort, in der ein Winkel &bgr;, der in Bezug auf eine <11-20>-Richtung oder eine <1-100>-Richtung des Ingots (1) gebildet wird, 15 ± 5° in einer orthogonalen Projektion auf eine {0001}-Ebene beträgt. |
