Durchlassstromeinstellung für Transistoren durch lokale Gateanpassung

摘要

Verfahren mit: Bilden einer ersten Gateelektrodenstruktur (206) eines ersten Transistors (200a) über einem ersten aktiven Gebiet eines Halbleiterbauelements, wobei der erste Transistor (200a) eine erste Leitfähigkeitsart und eine erste Transistorbreite besitzt; und Einstellen eines Durchlassstromes des ersten Transistors (200a) durch Bilden einer Gatedielektrikumsdicke (206s) und/oder einer Gatelänge, die sich entlang mindestens eines Teils der ersten Transistorbreite ändert bzw. ändern, und Bilden einer zweiten Gateelektrodenstruktur (206) eines zweiten Transistors (200b) einer Speicherzelle über dem ersten aktiven Gebiet, wobei der erste und der zweite Transistor (200b) die erste Transistorbreite und verschiedene Durchlassströme aufweisen.