| 摘要 |
Ionenleitsystem mit Polstäben, an die reihum abwechselnd zwei Phasen einer Hochfrequenzspannung angelegt werden, und einer Einrichtung zur seitlichen Einführung von Ionen, wobei die Polstäbe und die Einrichtung zu einer Ebene, die die Achse des Ionenleitsystems enthält und zur seitlichen Einführungsrichtung der Ionen senkrecht steht, Spiegelsymmetrie aufweisen, so dass die Polstäbe und die Einrichtung am Ort der seitlichen Einführung Hochfrequenzfelder erzeugen, die eine mindestens zweifache Drehsymmetrie um die Achse des Ionenleitsystems aufweisen, dadurch gekennzeichnet, dass die Polstäbe dort, wo die Einrichtung zur seitlichen Einführung an diesen andockt, elektrisch isolierte Teilstücke aufweisen, von denen wenigstens einige in Phasen, in denen Ionen durch die Einrichtung zur seitlichen Einführung in das Ionenleitsystem eingeführt oder aus diesem herausgeführt werden, zusätzlich zur Hochfrequenzspannung mit Gleichspannung beaufschlagt werden, so dass ein unsymmetrisches Umlenkungsgleichspannungsfeld für die Ionen entsteht. |
