Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung desselben

摘要

Halbleiterbauelement aufweisend:–einen Halbleiterkörper mit einer ersten Elektrode und einer zweiten Elektrode, die auf einander gegenüberliegenden Oberflächen des Halbleiterkörpers angeordnet sind;–eine Steuerelektrode auf einer Isolationsschicht, die Kanalbereiche von Bodyzonen im Halbleiterkörper für einen Stromfluss zwischen den beiden Elektroden steuert;–eine Driftstrecke die sich an die Kanalbereiche anschließt und Driftzonen sowie Ladungskompensationszonen aufweist, wobei ein Teil der Ladungskompensationszonen leitend angeschlossene Ladungskompensationszonen sind, die mit der ersten Elektrode elektrisch in Verbindung stehen und ein anderer Teil nahezu floatende Ladungskompensationszonen aufweist, so dass eine vergrößerte Steuerelektrodenfläche eine monolithisch integrierte Zusatzkapazität CZGD innerhalb eines Zellenbereichs des Halbleiterbauelements aufweist.