| 发明名称 |
Vielschichtkondensator und Verfahren zur Herstellung eines Vielschichtkondensators |
| 摘要 |
<p>Es wird ein Vielschichtkondensator (1) aufweisend dielektrische Schichten (2) und dazwischen angeordnete Elektrodenschichten (3, 4, 5) angegeben, wobei der Vielschichtkondensator (1) mehrere miteinander verbundene Segmente (11, 12) aufweist und wobei zwischen den Segmenten (11, 12) wenigstens ein Entlastungsbereich (18, 19, 20) vorgesehen ist. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines derartigen Vielschichtkondensators (1) angegeben.</p> |
| 申请公布号 |
DE102012111023(A1) |
申请公布日期 |
2014.05.15 |
| 申请号 |
DE201210111023 |
申请日期 |
2012.11.15 |
| 申请人 |
EPCOS AG |
发明人 |
SCHOSSMANN, MICHAEL;ENGEL, GÜNTER;OBERMAIR, STEFAN;DÖLLGAST, BERNHARD;KOINI, MARKUS;KONRAD, JÜRGEN |
| 分类号 |
H01G4/33;H01G2/14;H01G4/005;H01G4/12 |
主分类号 |
H01G4/33 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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