High spin-torque efficiency spin-torque oscillator (STO) with dual spin polarization layer (Spin-Torque Oszillator (STO) mit hoher Spin-Torque Effizienz mit doppelter Spinpolarisationsschicht)

摘要

Bei einer Ausführungsform enthält ein MAMR-Kopf: einen Hauptmagnetpol, einen STO, der nahe des Hauptmagnetpols positioniert ist, wobei der STO Folgendes enthält: eine erste senkrechte Magnetschicht, die über dem Hauptmagnetpol positioniert ist, wobei die erste senkrechte Magnetschicht eine erste Spinpolarisationsschicht mit einer Achse der magnetischen Anisotropie in einer Richtung senkrecht zu einer Filmoberfläche ist, eine erste unmagnetische Übertragungsschicht, die über der ersten senkrechten Magnetschicht positioniert ist, eine Magnetschicht effektiv mit einer Ebene der leichten Magnetisierung in der Filmoberfläche, die über der ersten unmagnetischen Übertragungsschicht positioniert ist, wobei die Magnetschicht eine FGL ist, eine zweite unmagnetische Übertragungsschicht, die über der Magnetschicht positioniert ist, und eine zweite senkrechte Magnetschicht, die über der zweiten unmagnetischen Übertragungsschicht positioniert ist, wobei die zweite senkrechte Magnetschicht eine zweite Spinpolarisationsschicht mit einer magnetischen Anisotropie in der Richtung senkrecht zur Filmebene ist.