| 摘要 |
<p>Es werden ein Substrat, das eine verringerte Defektbildungswahrscheinlichkeit in einem Schritt des Bildens einer Epitaxieschicht oder eines Halbleiterelements erzielt, eine das Substrat aufweisende Halbleitervorrichtung, und ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung bereitgestellt. Ein Substrat (1) ist ein Substrat (1) mit einer Vorderfläche und einer Rückfläche, wobei zumindest ein Teil der Vorderfläche aus einkristallinem Siliziumkarbid gebildet ist, wobei das Substrat einen Durchschnittswert einer Oberflächenrauhigkeit Ra auf der Vorderfläche (11) von nicht mehr als 0,5 nm und eine Standardabweichung der Oberflächenrauhigkeit Ra von nicht mehr als 0,2 nm aufweist, und einen Durchschnittswert der Oberflächenrauhigkeit Ra auf der Rückfläche (12) von nicht weniger als 0,3 nm und nicht mehr als 10 nm, und eine Standardabweichung der Oberflächenrauhigkeit Ra von nicht mehr als 3 nm und einen Durchmesser der vorderen Fläche (11) von nicht weniger ist als 110 mm aufweist.</p> |
