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Ein Leistungshalbleiterbauelement wird hergestellt, indem ein Leistungstransistor mit mehreren Transistorzellen auf einem Halbleiter-Die ausgebildet wird und absichtlich eine Inhomogenität in dem Leistungstransistor erzeugt wird, so dass die Anzahl von Stromfilamenten in den Transistorzellen mit reduzierter lokaler Stromdichte zunimmt und in dem Leistungstransistor während des Betriebs weniger instationäre Lawinenschwingungen auftreten. |
