STRUKTUR MIT KOPPLUNG ZWISCHEN STRUKTUREN MIT SUBLITHOGRAPHISCHEM RASTERABSTAND UND STRUKTUREN MIT LITHOGRAPHISCHEM RASTERABSTAND UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG DER STRUKTUR

摘要

Struktur, umfassend: eine erste Vielzahl von leitfähigen Linien, die einen ersten Rasterabstand aufweist und in wenigstens einer dielektrischen Schicht eingebettet ist, wobei jede aus der ersten Vielzahl von leitfähigen Linien ein Paar von Seitenwänden aufweist, die parallel zu einer ersten Vertikalebene sind, und eine Endwand, die dem Paar von Seitenwänden direkt angrenzt und in einer zweiten Vertikalebene liegt, wobei der Winkel zwischen der ersten Vertikalebene und der zweiten Vertikalebene weniger als 45 Grad beträgt; und eine Vielzahl von leitfähigen Durchkontaktierungen, wobei jede aus der Vielzahl von leitfähigen Durchkontaktierungen einen Endabschnitt von einer aus der Vielzahl von leitfähigen Linien kontaktiert und in der wenigstens einen dielektrischen Schicht eingebettet ist, und wobei die zweite Vertikalebene jede aus der Vielzahl von leitfähigen Durchkontaktierungen schneidet und ein Abschnitt von jeder aus der Vielzahl von leitfähigen Durchkontaktierungen auf einer Seite der zweiten Vertikalebene vorhanden ist und ein anderer Abschnitt von jeder aus der Vielzahl von leitfähigen Durchkontaktierungen auf der anderen Seite der zweiten Vertikalebene vorhanden ist.