发明名称 Halbleiterbauelement und Datenabtaststeuerverfahren
摘要 Halbleiterbauelement mit einer Schnittstelle von einem offenen Draintyp oder einem pseudooffenen Draintyp, gekennzeichnet durch–eine DQS-Steuerschaltung (630), welche dafür eingerichtet ist, ein Datenabtastsignal (DQS) in Reaktion auf ein Taktsignal (CLK), ein erstes DQS-Steuersignal (PTRSTDS_OR) und ein zweites DQS-Steuersignal (PTRSTDS_S) durch sequentielles Ändern eines Zustandes eines als nächstes auf einen Postambel-Bereich des Datenabtastsignals folgenden Bereichs von einem ersten logischen Zustand des Postambel-Bereichs auf einen zweiten logischen Zustand und nach einer ersten vorbestimmten Zeitspanne vom zweiten logischen Zustand auf einen hohen Impedanzzustand zu steuern, und–eine Ausgabeeinheit (670), welche dafür eingerichtet ist, das Datenabtastsignal (DQS) auszugeben.
申请公布号 DE102006012896(B4) 申请公布日期 2014.05.15
申请号 DE20061012896 申请日期 2006.03.13
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. 发明人 KIM, JOUNG-YEAL;PARK, KWANG-IL;KIM, SUNG-HOON
分类号 G11C11/4076;G11C7/22 主分类号 G11C11/4076
代理机构 代理人
主权项
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