| 摘要 |
Gegenstand der Erfindung ist eine Halbleiterscheibe aus einkristallinem Silizium und ein Verfahren zu deren Herstellung. Die Halbleiterscheibe hat eine Zone, DZ, die frei von BMD-Defekten ist und sich von einer Vorderseite der Halbleiterscheibe ins Innere der Halbleiterscheibe erstreckt, und einen Bereich mit BMD-Defekten, der sich von der DZ weiter ins Innere der Halbleiterscheibe erstreckt. Das Verfahren umfasst das Ziehen eines Einkristalls aus Silizium gemäß der Czochralski-Methode, das Verarbeiten des Einkristalls zu einer polierten, einkristallinen Substratscheibe aus Silizium, das schnelle Erhitzen und Abkühlen der Substratscheibe, das langsame Erhitzen der schnell erhitzten und abgekühlten Substratscheibe und das Halten der Substratscheibe auf einer bestimmten Temperatur und über einen bestimmten Zeitraum. |
