| 发明名称 | 快闪存储器及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种快闪存储器及其制作方法。其中一种快闪存储器的制作方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成存储结构，所述存储结构包括：第一介质层、在第一介质层上的浮栅、在浮栅上的第二介质层、在第二介质层上的控制栅；在所述存储结构的侧壁形成保护层；形成保护层后，在所述存储结构周围形成侧墙；所述保护层用于防止所述存储结构的侧壁与形成侧墙的物质发生反应。采用本发明的快闪存储器的制作方法提高了快闪存储器的读、写和擦除效率能力。 | ||
| 申请公布号 | CN103794504A | 申请公布日期 | 2014.05.14 |
| 申请号 | CN201210425017.2 | 申请日期 | 2012.10.30 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 吴兵 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/788(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种快闪存储器的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成存储结构，所述存储结构包括：第一介质层、在第一介质层上的浮栅、在浮栅上的第二介质层、在第二介质层上的控制栅；在所述存储结构的侧壁形成保护层；形成保护层后，在所述存储结构周围形成侧墙；所述保护层用于防止所述存储结构的侧壁与形成侧墙的物质发生反应。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||