| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种实现通态电阻的降低或电流崩塌的抑制并且防止了耐压降低的半导体装置。该半导体装置具备：形成于基板上的由氮化物系半导体构成的第1半导体层，形成于所述第1半导体层的表面的、由带隙比所述第1半导体层宽的氮化物系半导体构成的第2半导体层，形成于所述第2半导体层的表面上的第1电极，形成于所述第2半导体层的表面上的第2电极，形成于所述第2半导体层的表面的所述第1电极和所述第2电极之间的电极间绝缘膜，以及形成于所述电极间绝缘膜上的由绝缘体构成的介电常数调节层，其中，所述第1电极具有以上载至所述电极间绝缘膜的方式形成的场板部，所述介电常数调节层具有与所述场板部的侧端部接触的第1介电常数调节层和形成于所述第1介电常数调节层上的第2介电常数调节层。 | ||
| 申请公布号 | CN103794641A | 申请公布日期 | 2014.05.14 |
| 申请号 | CN201310288660.X | 申请日期 | 2013.07.10 |
| 申请人 | 古河电气工业株式会社;富士电机株式会社 | 发明人 | 李江;高木启史;田村亮祐;伊仓巧裕 |
| 分类号 | H01L29/06(2006.01)I;H01L29/872(2006.01)I;H01L29/778(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 翟赟琪 |
| 主权项 | 一种半导体装置，其特征在于，具备：形成于基板上的由氮化物系半导体构成的第1半导体层；形成于所述第1半导体层的表面的，由带隙比所述第1半导体层宽的氮化物系半导体构成的第2半导体层；形成于所述第2半导体层的表面的第1电极；形成于所述第2半导体层的表面的第2电极；形成于所述第2半导体层的表面的所述第1电极和所述第2电极之间的电极间绝缘膜；以及，形成于所述电极间绝缘膜上的由绝缘体构成的介电常数调节层，所述第1电极具有以上载至所述电极间绝缘膜的方式形成的场板部，所述介电常数调节层具有与所述场板部的侧端部相接触的第1介电常数调节层和形成于所述第1介电常数调节层上的第2介电常数调节层。 | ||
| 地址 | 日本国东京都 | ||