发明名称 移位缓存器电路
摘要 一种移位缓存器电路包含多个级移位缓存器以提供多个栅极信号,所述级移位缓存器的第N级移位缓存器包含输入单元、上拉单元及下拉单元。输入单元用来根据第(N-1)级移位缓存器产生的第(N-1)栅极信号与第(N-2)级移位缓存器产生的第(N-2)驱动控制电压以输出第N驱动控制电压。上拉单元根据第N驱动控制电压与系统频率以上拉第N栅极信号。下拉单元根据第(N+2)级移位缓存器产生的第(N+2)栅极信号以下拉第N栅极信号与第N驱动控制电压。
申请公布号 CN102054426B 申请公布日期 2014.05.14
申请号 CN201110031088.X 申请日期 2011.01.21
申请人 友达光电股份有限公司 发明人 杨欲忠;陈勇志;徐国华;苏国彰
分类号 G09G3/20(2006.01)I;G09G3/36(2006.01)I 主分类号 G09G3/20(2006.01)I
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人 郭蔚
主权项 一种移位缓存器电路,用以提供多个栅极信号至多个栅极线,该移位缓存器电路包含多个级移位缓存器,其特征在于,所述多个级移位缓存器包括一第N级移位缓存器,一第(N-1)级移位缓存器,一第(N-2)级移位缓存器,所述移位缓存器电路包含:一输入单元,电连接于该第(N‑1)级移位缓存器以接收所述栅极信号的一第(N‑1)栅极信号,并电连接于该第(N‑2)级移位缓存器以接收一第(N‑2)驱动控制电压,该输入单元用来根据该第(N‑1)栅极信号与该第(N‑2)驱动控制电压以输出一第N驱动控制电压;一上拉单元,电连接于该输入单元与所述栅极线的一第N栅极线,该上拉单元用来根据该第N驱动控制电压与一系统频率以上拉所述栅极信号的一第N栅极信号,其中该第N栅极线用以传输该第N栅极信号;一储能单元,电连接于该上拉单元与该输入单元,该储能单元用来根据该第N驱动控制电压执行一充电程序或一放电程序;以及一下拉单元,电连接于该输入单元与该第N栅极线,并电连接于所述级移位缓存器的一第(N+2)级移位缓存器以接收所述栅极信号的一第(N+2)栅极信号,该下拉单元用来根据该第(N+2)栅极信号以下拉该第N栅极信号与该第N驱动控制电压;其中,该输入单元包含一第一晶体管,该第一晶体管的一第一端电连接于该第(N‑1)级移位缓存器以接收该第(N‑1)栅极信号,该第一晶体管的一栅极端电连接于该第(N‑2)级移位缓存器以接收该第(N‑2)驱动控制电压,该第一晶体管的一第二端用来输出该第N驱动控制电压。
地址 中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行二路一号