发明名称 |
移位缓存器电路 |
摘要 |
一种移位缓存器电路包含多个级移位缓存器以提供多个栅极信号,所述级移位缓存器的第N级移位缓存器包含输入单元、上拉单元及下拉单元。输入单元用来根据第(N-1)级移位缓存器产生的第(N-1)栅极信号与第(N-2)级移位缓存器产生的第(N-2)驱动控制电压以输出第N驱动控制电压。上拉单元根据第N驱动控制电压与系统频率以上拉第N栅极信号。下拉单元根据第(N+2)级移位缓存器产生的第(N+2)栅极信号以下拉第N栅极信号与第N驱动控制电压。 |
申请公布号 |
CN102054426B |
申请公布日期 |
2014.05.14 |
申请号 |
CN201110031088.X |
申请日期 |
2011.01.21 |
申请人 |
友达光电股份有限公司 |
发明人 |
杨欲忠;陈勇志;徐国华;苏国彰 |
分类号 |
G09G3/20(2006.01)I;G09G3/36(2006.01)I |
主分类号 |
G09G3/20(2006.01)I |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 31100 |
代理人 |
郭蔚 |
主权项 |
一种移位缓存器电路,用以提供多个栅极信号至多个栅极线,该移位缓存器电路包含多个级移位缓存器,其特征在于,所述多个级移位缓存器包括一第N级移位缓存器,一第(N-1)级移位缓存器,一第(N-2)级移位缓存器,所述移位缓存器电路包含:一输入单元,电连接于该第(N‑1)级移位缓存器以接收所述栅极信号的一第(N‑1)栅极信号,并电连接于该第(N‑2)级移位缓存器以接收一第(N‑2)驱动控制电压,该输入单元用来根据该第(N‑1)栅极信号与该第(N‑2)驱动控制电压以输出一第N驱动控制电压;一上拉单元,电连接于该输入单元与所述栅极线的一第N栅极线,该上拉单元用来根据该第N驱动控制电压与一系统频率以上拉所述栅极信号的一第N栅极信号,其中该第N栅极线用以传输该第N栅极信号;一储能单元,电连接于该上拉单元与该输入单元,该储能单元用来根据该第N驱动控制电压执行一充电程序或一放电程序;以及一下拉单元,电连接于该输入单元与该第N栅极线,并电连接于所述级移位缓存器的一第(N+2)级移位缓存器以接收所述栅极信号的一第(N+2)栅极信号,该下拉单元用来根据该第(N+2)栅极信号以下拉该第N栅极信号与该第N驱动控制电压;其中,该输入单元包含一第一晶体管,该第一晶体管的一第一端电连接于该第(N‑1)级移位缓存器以接收该第(N‑1)栅极信号,该第一晶体管的一栅极端电连接于该第(N‑2)级移位缓存器以接收该第(N‑2)驱动控制电压,该第一晶体管的一第二端用来输出该第N驱动控制电压。 |
地址 |
中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行二路一号 |