| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及至少在光学应用中使用的半导体装置（1）及其制造方法。该半导体装置（1）包括：至少一个实质上以光学无源模式可操作的光学无源组件（2）；以及至少一种光学有源材料（6），包括实质上以光学有源模式可操作的至少一种材料，其中：光学无源组件（2）图案化为包括具有至少一个预限定结构（5）的至少一个光子结构（4），并且光学有源材料（6）形成在预限定结构（5）中以在至少一个横向平面中与光学无源组件（2）实质上自对准。 | ||
| 申请公布号 | CN103794985A | 申请公布日期 | 2014.05.14 |
| 申请号 | CN201310529426.1 | 申请日期 | 2013.10.31 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | J.霍夫里克特;M.里克特;L.乔诺马兹;H.E.里尔 |
| 分类号 | H01S5/34(2006.01)I;H01S5/187(2006.01)I;H01S5/10(2006.01)I | 主分类号 | H01S5/34(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 邱军 |
| 主权项 | 一种至少在光学应用中使用的半导体装置（1），包括：以光学无源模式实质上可操作的至少一个光学无源组件（2），以及至少一种光学有源材料（6），该光学有源材料（6）包括至少一种以光学有源模式实质上可操作的材料，其中：该光学无源组件（2）图案化为包括具有至少一个预限定结构（5）的至少一个光子结构（4），并且该光学有源材料（6）形成在该预限定结构（5）中，以实质上在至少一个横向平面中与该光学无源组件（2）自对准。 | ||
| 地址 | 美国纽约阿芒克 | ||