| 发明名称 | 等离子蚀刻的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种等离子蚀刻碳化硅工件的方法，所述方法包括以下步骤：在所述碳化硅工件的表面上形成掩模；利用第一组工艺条件在被遮掩的表面上进行初始等离子蚀刻，其中所述等离子由蚀刻气体混合物产生，所述蚀刻气体混合物包括i）氧气和ii）至少一种富氟气体，所述富氟气体以小于50%的体积比存在于所述蚀刻气体混合物中；以及随后利用第二组工艺条件进行主等离子蚀刻工艺，所述第二组工艺条件不同于所述第一组工艺条件。 | ||
| 申请公布号 | CN103794489A | 申请公布日期 | 2014.05.14 |
| 申请号 | CN201310465333.7 | 申请日期 | 2013.10.08 |
| 申请人 | SPTS科技有限公司 | 发明人 | 海尤玛·阿什拉夫;安东尼·巴克 |
| 分类号 | H01L21/3065(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/3065(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 | 代理人 | 张颖玲;胡春光 |
| 主权项 | 一种等离子蚀刻碳化硅工件的方法，所述方法包括以下步骤：在所述碳化硅工件的表面上形成掩模；利用第一组工艺条件在被遮掩的表面上进行初始等离子蚀刻，其中所述等离子由蚀刻气体混合物产生，所述蚀刻气体混合物包括i）氧气和ii）至少一种富氟气体，所述富氟气体以小于50%的体积比存在于所述蚀刻气体混合物中；以及随后利用第二组工艺条件进行主等离子蚀刻工艺，所述第二组工艺条件不同于所述第一组工艺条件。 | ||
| 地址 | 英国新港 | ||