发明名称 |
一种等离子体处理设备及其中的温度隔离装置 |
摘要 |
本发明涉及一种等离子体处理设备及其中的温度隔离装置;所述等离子体处理设备设置有能够密闭的腔室,所述腔室的侧壁顶部设置有环盖;所述腔室的顶部由介电窗构成,所述环盖与所述介电窗之间存在温度差;所述温度隔离装置是设置在所述环盖顶部的隔热圈;所述隔热圈的顶面,与所述介电窗的一部分底面相接触,实现对介电窗的支撑,从而隔绝介电窗与所述环盖之间的导热接触,以阻止热量由所述介电窗向环盖传导,实现减少介电窗中心位置到边缘位置的温度梯度的目的。本发明能够有效提升等离子体处理设备的安全性能。 |
申请公布号 |
CN103794457A |
申请公布日期 |
2014.05.14 |
申请号 |
CN201210419716.6 |
申请日期 |
2012.10.29 |
申请人 |
中微半导体设备(上海)有限公司 |
发明人 |
徐朝阳;倪图强;许颂临;周宁 |
分类号 |
H01J37/32(2006.01)I;H01J37/02(2006.01)I;H01L21/67(2006.01)I |
主分类号 |
H01J37/32(2006.01)I |
代理机构 |
上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 |
代理人 |
张静洁;徐雯琼 |
主权项 |
一种温度隔离装置,用于等离子体处理设备;所述等离子体处理设备设置有能够密闭的腔室,所述腔室的侧壁(30)顶部设置有环盖(20);所述腔室的顶部由介电窗(10)构成,所述环盖(20)与所述介电窗(10)之间存在温度差;其特征在于:所述温度隔离装置是设置在所述环盖(20)顶部的隔热圈(80);所述隔热圈(80)的顶面,与所述介电窗(10)的一部分底面相接触,实现对介电窗(10)的支撑,从而隔绝介电窗(10)与所述环盖(20)之间的导热接触,以阻止热量由所述介电窗(10)向环盖(20)传导,减少介电窗(10)中心位置到边缘位置的温度梯度。 |
地址 |
201201 上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号 |