用于半导体装置性能改善的涂层

摘要

用于半导体装置性能改善的涂层，等离子体处理腔室具有增强型涂层的气体喷淋头和延伸的下电极。所述延伸的下电极可由聚焦环、覆盖环和等离子体约束环的一个或多个组成。延伸的下电极可利用一个一片式的复合覆盖环制成。所述复合覆盖环可由Al₂O₃制成并具有抗等离子体Y₂O₃涂层。所述等离子体约束环可以包括一流量均衡化离子屏蔽装置，其也可具有抗等离子体涂层。所述延伸电极的抗等离子体涂层可具有配合气体喷淋头的成份。

主权项

一种用于处理基片的等离子体处理腔室，其中，包括：气体喷淋头，其包括一具有多个注气孔的多孔板和一等离子体曝露面，所述等离子体曝露面具有一涂覆了含钇涂层的抗等离子体涂层；用于支持所述基片的夹盘；围绕所述基片设置的聚焦环；围绕所述聚焦环设置的覆盖环；以及，围绕所述夹盘设置的等离子体约束环；其中，所述聚焦环、所述覆盖环、所述等离子体约束环中的至少一个的等离子体曝露面涂覆了抗等离子体涂层。