| 发明名称 | 用于制造光波导的方法、光波导和传感器装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供了用于制造光波导的方法，其中波导结构包括沉积在第一层(210)上的ZnS-SiO<sub>2</sub>波导层(220)，其中第一层的第一折射率小于波导层的折射率。本发明还提供了一种传感器装置，其包括平面光波导、光源、传感器、用于将分析物施加到平面波导的顶部上的应用单元和连接到传感器的处理器。 | ||
| 申请公布号 | CN102066997B | 申请公布日期 | 2014.05.14 |
| 申请号 | CN200980113509.4 | 申请日期 | 2009.02.18 |
| 申请人 | 索尼达德克奥地利股份公司 | 发明人 | 汉斯-彼得·涅德伯格;约瑟夫·舒勒尔;高特弗莱德·雷特尔 |
| 分类号 | G02B6/132(2006.01)I | 主分类号 | G02B6/132(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人 | 余刚;吴孟秋 |
| 主权项 | 一种光波导，其包括：第一层，其具有第一折射率；和波导结构，其位于所述第一层的顶部上，其中所述波导结构包括波导层，所述波导层由(ZnS)<sub>100‑x</sub>‑(SiO<sub>2</sub>)<sub>x</sub>构成，x表示氧化硅的重量百分比，并且(100‑x)处于10至95的范围内，并且所述波导层具有大于所述第一折射率的折射率，其中，(ZnS)<sub>100‑x</sub>‑(SiO<sub>2</sub>)<sub>x</sub>由作为小晶粒的硫化锌和非晶氧化硅构成。 | ||
| 地址 | 奥地利安尼弗 | ||