| 发明名称 | 改进的硅通孔结构制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种改进的硅通孔结构制备方法，其包括如下步骤：a、提供基板，在基板内刻蚀形成所需的深孔；b、在所述深孔内进行氧等离子体环境下的氧等离子氧化或氧等离子体阳极氧化，以在深孔的内壁上形成氧化层，所述氧等离子体氧化过程中基板温度为200℃~600℃；c、在具有氧化层的深孔内沉积得到阻挡层以及种子层，所述阻挡层位于种子层与氧化层之间；d、在上述深孔内进行金属导体填充，所述金属导体填充在深孔内，阻挡层包裹在金属导体的外圈；e、对基板的背面进行减薄，以形成所需的通孔结构。本发明工艺步骤简单，能降低形成TSV结构的漏电流以及寄生电容，提高可靠性，适应范围广。 | ||
| 申请公布号 | CN103794554A | 申请公布日期 | 2014.05.14 |
| 申请号 | CN201410069336.3 | 申请日期 | 2014.02.27 |
| 申请人 | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 | 发明人 | 勇振中;张文奇 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人 | 殷红梅 |
| 主权项 | 一种改进的硅通孔结构制备方法，其特征是，所述硅通孔结构制备方法包括如下步骤：（a）、提供基板（1），所述基板（1）包括正面以及与所述正面对应的背面，在基板（1）内刻蚀形成所需的深孔（2），所述深孔（2）从基板（1）的正面指向背面的方向延伸；（b）、在所述深孔（2）内进行氧等离子体环境下的氧等离子氧化或氧等离子体阳极氧化，以在深孔（2）的内壁上形成氧化层，所述氧等离子体氧化过程中基板（1）的温度为200℃~600℃；（c）、在具有氧化层的深孔（2）内沉积得到阻挡层以及种子层，所述阻挡层位于种子层与氧化层之间；（d）、在上述深孔（2）内进行金属导体填充，所述金属导体填充在深孔（2）内，阻挡层包裹在金属导体的外圈；（e）、对基板（1）的背面进行减薄，以形成所需的通孔结构。 | ||
| 地址 | 214000 江苏省无锡市新区太湖国际科技园菱湖大道200号中国传感网国际创新园D1栋 | ||