| 发明名称 | 铟锡氧化物靶材的制作方法 | ||
| 摘要 | 一种铟锡氧化物靶材的制作方法，包括：提供ITO粉料；采用静压工艺将ITO粉料预压成型，形成第一ITO靶材坯料；将第一ITO靶材坯料放入第一包套并抽真空；采用冷等静压工艺对第一包套内的第一ITO靶材坯料进行处理，形成第二ITO靶材坯料；去除所述第一包套后，将第二ITO靶材坯料放入第二包套，并抽真空；采用热等静压工艺对所述第二包套进行处理，形成第三ITO靶材坯料；去除所述第二包套后，对所述第三ITO靶材坯料进行机械加工形成ITO靶材。本发明突破了ITO粉料不易成型，易分解，会被还原等特点带来的加工ITO靶材的局限，能形成具有优良的致密度、内部组织结构的均匀性的ITO靶材。 | ||
| 申请公布号 | CN103787651A | 申请公布日期 | 2014.05.14 |
| 申请号 | CN201210426065.3 | 申请日期 | 2012.10.30 |
| 申请人 | 宁波江丰电子材料有限公司 | 发明人 | 姚力军;相原俊夫;大岩一彦;潘杰;王学泽;宋佳 |
| 分类号 | C04B35/457(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I | 主分类号 | C04B35/457(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种铟锡氧化物靶材的制作方法，其特征在于，包括：提供ITO粉料；采用静压工艺将ITO粉料预压成型，形成第一ITO靶材坯料；将第一ITO靶材坯料放入第一包套并抽真空；采用冷等静压工艺对第一包套内的第一ITO靶材坯料进行处理，形成第二ITO靶材坯料；去除所述第一包套后，将第二ITO靶材坯料放入第二包套，并抽真空；采用热等静压工艺对第二包套内的第二ITO靶材坯料进行处理，形成第三ITO靶材坯料；去除所述第二包套后，对所述第三ITO靶材坯料进行机械加工形成ITO靶材。 | ||
| 地址 | 315400 浙江省宁波市余姚市经济开发区名邦科技工业园区安山路198号 | ||