发明名称 一种碳改性CaCu<sub>3</sub>Ti<sub>4</sub>O<sub>12</sub>高介电材料的制备方法
摘要 本发明涉及CCTO介电材料,特指一种碳改性CaCu<sub>3</sub>Ti<sub>4</sub>O<sub>12</sub>高介电材料的制备方法。本发明采用溶胶-凝胶法制备CCTO纳米粉体,并以其为原料制备碳改性的CCTO粉体及陶瓷;碳作为一种晶粒拟制剂,在烧结过程中影响界面能,进而阻止晶粒的异常长大,得到晶粒分布更为均匀致密性更好的CCTO陶瓷,通过改变碳的量来制备不同晶粒尺寸的陶瓷;实验结果发现碳改性的CCTO陶瓷具有良好的烧结性能,经过1000℃烧结6小时后的陶瓷具有更低的介电损耗。
申请公布号 CN103787653A 申请公布日期 2014.05.14
申请号 CN201410051008.0 申请日期 2014.02.14
申请人 常州大学 发明人 王茂华;张波;周芙
分类号 C04B35/465(2006.01)I;C04B35/626(2006.01)I 主分类号 C04B35/465(2006.01)I
代理机构 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 代理人 楼高潮
主权项 一种碳改性CaCu<sub>3</sub>Ti<sub>4</sub>O<sub>12</sub>高介电材料的制备方法,包括CCTO粉体的制备步骤、碳改性的CCTO粉体的制备步骤、碳改性的CCTO陶瓷的制备步骤,其特征在于所述碳改性的CCTO粉体的制备步骤为:以CCTO为原料,葡萄糖为碳源,无水乙醇为介质采用高能球磨法制备碳改性的CCTO粉体,按照CCTO与葡萄糖质量比为10:1‑3称取两种物质,将称量好的CCTO粉体与葡萄糖加入到球磨罐中,加入球磨介质无水乙醇和氧化锆磨球进行球磨,球磨后干燥、煅烧得到碳改性的CCTO粉体。
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