硼掺杂石墨烯薄膜及电化学电容器的制备方法

摘要

一种硼掺杂石墨烯薄膜的制备方法，包括：将石墨进行氧化得到氧化石墨；将氧化石墨分散在去离子水中超声，过滤，烘干，得到氧化石墨烯；将氧化石墨烯置于三氯化硼和惰性气体的混合气氛下，升温至800℃~1000℃进行反应，并保温30分钟~120分钟，得到硼掺杂石墨烯；将硼掺杂石墨烯加入到甲基吡咯烷酮中，得到硼掺杂石墨烯溶液，对硼掺杂石墨烯溶液进行超声处理后真空过滤，将过滤物置于-25℃以下的环境中冷冻干燥3小时~5小时，再置于-60℃以下且压力低于5Pa的环境中冷冻干燥12小时~24小时，得到硼掺杂石墨烯薄膜。利用冷冻干燥技术，较大地降低了石墨烯片层的团聚，有效提高石墨烯的储能性能。本发明还提供使用该硼掺杂石墨烯薄膜的电化学电容器的制备方法。

主权项

一种硼掺杂石墨烯薄膜的制备方法，其特征在于，包括：将石墨进行氧化，得到氧化石墨；将所述氧化石墨分散在去离子水中，超声2小时~4小时，过滤，烘干，得到氧化石墨烯；将所述氧化石墨烯置于三氯化硼和惰性气体的混合气氛下，升温至800℃~1000℃的温度下进行反应，并保温30分钟~120分钟，得到硼掺杂石墨烯；及将所述硼掺杂石墨烯加入到甲基吡咯烷酮中，得到硼掺杂石墨烯溶液，对所述硼掺杂石墨烯溶液进行超声处理后真空过滤，然后将过滤物置于‑25℃以下的环境中冷冻干燥3小时~5小时，再置于‑60℃以下且压力低于5Pa的环境中冷冻干燥12小时~24小时，得到硼掺杂石墨烯薄膜。