一种弱氧化单晶硅片的制绒方法

摘要

本发明公开了一种弱氧化单晶硅片的制绒方法，先将清洗好的单晶硅片置于HF水溶液中去除硅片表面较厚的氧化层，然后将硅片放入H₂O₂水溶液中进行氧化，在硅片表面形成一层很薄的氧化层，最后将上述硅片置于制绒液中从而获得高质量的金字塔绒面。采用本发明方法可以制备出具有完整、独立、尺寸大小均匀的金字塔结构且金字塔密集的优质绒面，使单晶硅片表面的反射率显著降低。

主权项

一种弱氧化单晶硅片的制绒方法，其特征在于：将清洗好的单晶硅片置于质量分数为10%HF水溶液中，常温浸泡0.5～2分钟，然后将单晶硅片放入质量分数为2%～20%的H₂O₂水溶液中，50～70℃氧化3～12分钟，再将氧化后的硅片置于制绒液中，得到金字塔绒面的单晶硅片。