发明名称 |
一体式功率半导体模块 |
摘要 |
公开了一种一体式功率半导体模块,包括多个形成于基片上的第一半导体元件;壳体,所述壳体塑造形成并包括跨过所述多个第一半导体元件的上部的桥;以及多个引导件,所述多个引导件整体地形成于所述壳体上并电连接所述多个第一半导体元件以及所述基片。根据本发明,可通过增加半导体元件的连接区域和连接力来改善可靠性,此外,还可以通过根据半导体元件的安装与高度调节台阶差以提高工艺性并且降低不合格率。此外,省略连接线工序以减少加工时间。 |
申请公布号 |
CN103794604A |
申请公布日期 |
2014.05.14 |
申请号 |
CN201310533320.9 |
申请日期 |
2013.10.31 |
申请人 |
三星电机株式会社 |
发明人 |
金洸洙;梁时重;徐范锡;郭煐熏;J·河 |
分类号 |
H01L25/16(2006.01)I;H01L23/488(2006.01)I;H01L33/62(2010.01)I |
主分类号 |
H01L25/16(2006.01)I |
代理机构 |
北京润平知识产权代理有限公司 11283 |
代理人 |
李翔;黄志兴 |
主权项 |
一种一体式功率半导体模块,该一体式功率半导体模块包括:多个形成于基片上的第一半导体元件;壳体,该壳体塑造形成,并包括跨过所述多个第一半导体元件上部的桥;以及多个引导件,该多个引导件与所述壳体整体形成并电连接所述基片和所述多个第一半导体元件。 |
地址 |
韩国京畿道 |