| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体装置，该半导体装置包括：在N-型AlGaN层的一边上形成的源电极；在P-型AlGaN层的另一边上形成并且以垂直于源电极的方向形成的N-型和P-型AlGaN层；在N-型和P-型AlGaN层的一边上形成的门电极；以及在N-型和P-型AlGaN层的另一边上形成的漏电极。本发明提供的半导体装置能够增加操作的可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN103794648A | 申请公布日期 | 2014.05.14 |
| 申请号 | CN201310063205.X | 申请日期 | 2013.02.28 |
| 申请人 | 三星电机株式会社 | 发明人 | 朴在勋;宋寅赫;徐东秀;金洸洙;严基宙 |
| 分类号 | H01L29/778(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/417(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/778(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人 | 王凤桐;周建秋 |
| 主权项 | 一种半导体装置，该半导体装置包括：无掺杂的III‑V族第一半导体层；在所述无掺杂的III‑V族第一半导体层上形成的第一导电的III‑V族第二半导体层A；在所述第一导电的III‑V族第二半导体层A的一边上形成的第一电极；在所述第一导电的III‑V族第二半导体层A的另一边上形成并且以垂直于所述第一电极的方向形成的第一导电的III‑V族第二半导体层B和第二导电的III‑V族第二半导体层；在所述第一导电的III‑V族第二半导体层B和第二导电的III‑V族第二半导体层的一边上形成的第二电极；在所述第一导电的III‑V族第二半导体层B和第二导电的III‑V族第二半导体层的另一边上形成的第三电极；其中，所述第一导电的III‑V族第二半导体层B和第二导电的III‑V族第二半导体层是交替形成的。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||