发明名称 具有保护膜形成层的切割膜片和芯片的制造方法
摘要 本发明的课题是提供具有保护膜形成层的切割膜片,其可简便地制造具有厚度均匀性高、标记精度优良的保护膜的半导体芯片,并且可扩展,并且基材具有耐热性。本发明的解决方法是,本发明的具有保护膜形成层的切割膜片,其具有:基材膜、粘着剂层及保护膜形成层,并且,粘着剂层,以平面视至少形成于包围保护膜形成层的区域,并且,基材膜,包括如下(a)~(c)的特性:(a)熔点超过130℃,或者不具有熔点、(b)以130℃加热2小时时的热收缩率为-5~+5%、(c)MD方向及CD方向的断裂伸长率为100%以上,25%应力为100MPa以下。
申请公布号 CN103797567A 申请公布日期 2014.05.14
申请号 CN201280044503.8 申请日期 2012.09.27
申请人 琳得科株式会社 发明人 篠田智则;古馆正启;高野健
分类号 H01L21/301(2006.01)I;C09J7/02(2006.01)I;C09J201/00(2006.01)I 主分类号 H01L21/301(2006.01)I
代理机构 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 代理人 张永康;向勇
主权项 一种具有保护膜形成层的切割膜片,其具有基材膜、粘着剂层和保护膜形成层,并且,粘着剂层,以平面视至少形成于包围保护膜形成层的区域,并且,基材膜包括如下(a)~(c)的特性:(a)熔点超过130℃,或者不具有熔点、(b)以130℃加热2小时时的热收缩率为‑5~+5%、(c)MD方向及CD方向的断裂伸长率为100%以上,25%应力为100MPa以下。
地址 日本东京都